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2SJ649-AZ
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2SJ649-AZ
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET P-CH -60V -20A TO-220
原厂封装：
TO-220
优势价格，2SJ649-AZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SJ649-AZ的技术资料下载
2SJ649-AZ的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：2SJ649-AZ
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：MOSFET P-CH -60V -20A TO-220
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：48 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1900pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 隔离片
瑞萨原厂器件封装：TO-220 隔离的标片
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