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2SK4151TZ-E
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2SK4151TZ-E技术资料
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2SK4151TZ-E
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
MOSFET N-CH 150V 1A TO-92
原厂封装：
TO-92
优势价格，2SK4151TZ-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SK4151TZ-E的技术资料下载
2SK4151TZ-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：2SK4151TZ-E
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：MOSFET N-CH 150V 1A TO-92
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.95 欧姆 @ 500mA, 4V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.5nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：98pF @ 10V
功率 - 最大值：750mW
安装类型：通孔
封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体
瑞萨原厂器件封装：TO-92
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2SK4150TZ-E
单
R1LP5256ESA-5SR#S0
存储器芯片
NP88N075MUE-S18-AY
单端场效应管
R5F100LJABG#V0
微控制器
R5F2LA36ANFP#30
微控制器
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