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    H7N1002LS-E的图片

    H7N1002LS-E

    Renesas图标
    FET - 单
    制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）
    功能简述：MOSFET N-CH 100V LDPAK
    原厂封装：*
    优势价格，H7N1002LS-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    H7N1002LS-E的技术资料下载
    电话询问价格
    H7N1002LS-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号: H7N1002LS-E
  • 制造厂家名称: Renesas Electronics America
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 100V LDPAK
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动
  • 漏源极电压（Vdss）: 100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 75A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 10 毫欧 @ 37.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 155nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 9700pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 100W
  • 安装类型: *
  • 封装: *
  • 瑞萨原厂器件封装: *
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