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HAT2165N的图片

HAT2165N

Renesas图标
单端场效应管
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
原厂封装:8-LFPAK-iV
优势价格,HAT2165N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HAT2165N的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号:HAT2165N
  • 制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):55A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 27.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5180pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:30W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
  • 瑞萨原厂器件封装:8-LFPAK-iV
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  • 微控制器
    M30626SPFP#U5C
  • RF 开关
    UPG2035T5F-E2-A
  • 微控制器
    R5F51104ADFL#30
  • 微控制器
    UPD78F1026F1-AN9-A
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