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NE3210S01
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NE3210S01技术资料
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NE3210S01
RF FET
制造厂商:
瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:
HJ-FET 13.5DB S01
原厂封装:
*
优势价格,NE3210S01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE3210S01的技术资料下载
NE3210S01的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: NE3210S01
制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
功能总体简述: HJ-FET 13.5DB S01
系列: -
晶体管类型: HFET
电压 - 集射极击穿(最大值): -
频率: 12GHz
增益: 13.5dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
电压 - 测试: 2V
额定电流: 15mA
功率 - 最大值: -
噪声系数: 0.35dB
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
电流 - 测试: 10mA
功率 - 输出: -
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: -
电压 - 额定: 4V
封装: *
瑞萨原厂器件封装:
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