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NE5511279A-T1-A
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NE5511279A-T1-A价格
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NE5511279A-T1-A技术资料
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NE5511279A-T1-A
RF FET
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
原厂封装：
4-SMD
优势价格，NE5511279A-T1-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE5511279A-T1-A的技术资料下载
NE5511279A-T1-A的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号: NE5511279A-T1-A
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
功能总体简述: MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
系列: -
晶体管类型: LDMOS
电压 - 集射极击穿（最大值）: -
频率: 900MHz
增益: 15dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
电压 - 测试: 7.5V
额定电流: 3A
功率 - 最大值: -
噪声系数: -
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
电流 - 测试: 400mA
功率 - 输出: 40dBm
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
安装类型: -
电压 - 额定: 20V
封装/外壳: 4-SMD，扁平引线
供应商器件封装:
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