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NE5520379A-T1A-A

RF FET

制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）

功能简述：MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A

原厂封装：4-SMD

优势价格，NE5520379A-T1A-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NE5520379A-T1A-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供

瑞萨半导体完整型号: NE5520379A-T1A-A

制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）

功能总体简述: MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A

系列: -

晶体管类型: LDMOS

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 915MHz

增益: 16dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 3.2V

额定电流: 1.5A

功率 - 最大值: -

噪声系数: -

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: -

功率 - 输出: 35.5dBm

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 15V

封装: 4-SMD，扁平引线

瑞萨原厂器件封装:

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