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NE650103M-A的图片

NE650103M-A

RF FET

制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）

功能简述：MESFET GAAS 2.7GHZ 3M

原厂封装：SOT-445

优势价格，NE650103M-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NE650103M-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供

瑞萨半导体完整型号: NE650103M-A

制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）

功能总体简述: MESFET GAAS 2.7GHZ 3M

系列: -

晶体管类型: MESFET

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 2.3GHz

增益: 11dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 10V

额定电流: 5A

功率 - 最大值: -

噪声系数: -

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: 1.5A

功率 - 输出: 40dBm

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 15V

封装: SOT-445 变式

瑞萨原厂器件封装:

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