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RJL6013DPE-WS#J3
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RJL6013DPE-WS#J3技术资料
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RJL6013DPE-WS#J3
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
原厂封装：
4-LDPAK
优势价格，RJL6013DPE-WS#J3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJL6013DPE-WS#J3的技术资料下载
RJL6013DPE-WS#J3的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
制造商产品型号：RJL6013DPE-WS#J3
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：810 毫欧 @ 5.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：100W（Tc）
工作温度：150°C
安装类型：表面贴装型
器件封装：4-LDPAK
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