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2SJ352-E
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
原厂封装：
TO-3P
优势价格，2SJ352-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2SJ352-E的技术资料下载
2SJ352-E的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号：2SJ352-E
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 10V
功率 - 最大值：100W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3P
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2SJ358C(0)-T1-AZ
晶
XLL335150.000000I
振荡器
R5F2LA88ANFP#V0
微控制器
XLH736016.000000X
振荡器
R5F21216KFP#V0
微控制器
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