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H5N2522LSTL-E
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H5N2522LSTL-E技术资料
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H5N2522LSTL-E
单端场效应管
制造厂商:
瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:
MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
原厂封装:
4-LDPAK
优势价格,H5N2522LSTL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
H5N2522LSTL-E的技术资料下载
H5N2522LSTL-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号:H5N2522LSTL-E
制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
描述:MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):180 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:75W
安装类型:表面贴装
封装:SC-83
瑞萨原厂器件封装:4-LDPAK
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