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H7N1002LSTL-E的图片

H7N1002LSTL-E

FET - 单

制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）

功能简述：MOSFET N-CH 100V LDPAK

原厂封装：*

优势价格，H7N1002LSTL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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H7N1002LSTL-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供

瑞萨半导体完整型号: H7N1002LSTL-E

制造厂家名称: Renesas Electronics America

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V LDPAK

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 75A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 10 毫欧 @ 37.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 155nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 9700pF @ 10V

功率 - 最大值: 100W

安装类型: *

封装: *

瑞萨原厂器件封装: *

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F

H7N1002LS-E

控制器接口芯片

M66291GP#RB0S

微控制器

R5F212E2NFP#U0

RF 开关

UPG2012TB-E3-A

RF 混频器

UPC8172TB-E3-A

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