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H7N1002LSTL-E
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
H7N1002LSTL-E
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
原厂封装:
封装:LDPAK
优势价格,H7N1002LSTL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
H7N1002LSTL-E的技术资料下载
H7N1002LSTL-E的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:H7N1002LSTL-E
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:LDPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 37.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):155 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9700 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):100W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:LDPAK
封装/外壳:SC-83
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