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HAT2166H

Renesas图标
单端场效应管
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
原厂封装:LFPAK
优势价格,HAT2166H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HAT2166H的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号:HAT2166H
  • 制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):45A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.8 毫欧 @ 22.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4400pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装:SC-100,SOT-669
  • 瑞萨原厂器件封装:LFPAK
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  • F
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  • 微控制器
    R5F100BEDNA#U0
  • 微控制器
    DF71251AD50FPV
  • 隔离器 - 栅极驱动器
    PS9505-AX
  • 微控制器
    UPD78F0555MA-FAA-AX
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