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HS54095TZ-E

Renesas图标
单端场效应管
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:MOSFET N-CH 600V 200mA TO-92
原厂封装:TO-92-3
优势价格,HS54095TZ-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HS54095TZ-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号:HS54095TZ-E
  • 制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 200mA TO-92
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):16.5 欧姆 @ 100mA, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):66pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:750mW
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-226-3,TO-92-3 短体
  • 瑞萨原厂器件封装:TO-92-3
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  • HS54097TZ-E
  • 微控制器
    M30626SPFP#U5C
  • 微控制器
    R5F72865D100FP#U2
  • 微控制器
    R5F51104ADFL#30
  • 微控制器
    UPD78F1026F1-AN9-A
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