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HSG1002VE-TL-E
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HSG1002VE-TL-E技术资料
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HSG1002VE-TL-E
RF晶体管
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
原厂封装：
4-MFPAK
优势价格，HSG1002VE-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HSG1002VE-TL-E的技术资料下载
HSG1002VE-TL-E的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号：HSG1002VE-TL-E
制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
描述：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
系列：-
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：3.5V
频率 - 跃迁：38GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益：8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值：200mW
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA
安装类型：表面贴装
封装：4-SMD，鸥翼型
瑞萨原厂器件封装：4-MFPAK
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