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NE3513M04-T2-A的图片

NE3513M04-T2-A

RF FET

制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）

功能简述：IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD

原厂封装：SOT-343F

优势价格，NE3513M04-T2-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

NE3513M04-T2-A的技术资料下载

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NE3513M04-T2-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供

瑞萨半导体完整型号: NE3513M04-T2-A

制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）

功能总体简述: IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD

系列: -

晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 12GHz

增益: 13dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 2V

额定电流: 60mA

功率 - 最大值: -

噪声系数: 0.65dB

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: 10mA

功率 - 输出: 125mW

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 4V

封装: SOT-343F

瑞萨原厂器件封装:

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