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NE3514S02-A的图片

NE3514S02-A

Renesas图标
RF FET
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:HJ-FET NCH 10DB S02
原厂封装:4-SMD
优势价格,NE3514S02-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NE3514S02-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号: NE3514S02-A
  • 制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
  • 功能总体简述: HJ-FET NCH 10DB S02
  • 系列: -
  • 晶体管类型: HFET
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): -
  • 频率: 20GHz
  • 增益: 10dB
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
  • 电压 - 测试: 2V
  • 额定电流: 70mA
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: 0.75dB
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
  • 电流 - 测试: 10mA
  • 功率 - 输出: -
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: 4V
  • 封装: 4-SMD,扁平引线
  • 瑞萨原厂器件封装:
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