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RENESAS

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NE3516S02-T1C-A的图片

NE3516S02-T1C-A

RF FET

制造厂商：瑞萨(RENESAS)

功能简述：IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

原厂封装：4-SMD

优势价格，NE3516S02-T1C-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NE3516S02-T1C-A的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供

Renesas瑞萨完整型号: NE3516S02-T1C-A

制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）

功能总体简述: IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

系列: -

晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 12GHz

增益: 14dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 2V

额定电流: 60mA

功率 - 最大值: -

噪声系数: 0.35dB

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: 10mA

功率 - 输出: 165mW

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 4V

封装/外壳: 4-SMD，扁平引线

供应商器件封装:

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NE3511S02-T1C-A

R

NE3511S02-T1C-A

R

NE3516S02-A

BCR5CM-12LB-1#BB0

晶闸管 - TRIAC

BCR5CM-12LB-1#BB0

RF 解调器

F1350NBGI8

XLH720037.500000X

振荡器

XLH720037.500000X

XLH530066.000000X

振荡器

XLH530066.000000X

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