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NE4210S01
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NE4210S01技术资料
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NE4210S01
RF FET
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
HJ-FET 13DB S01
原厂封装：
*
优势价格，NE4210S01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE4210S01的技术资料下载
NE4210S01的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: NE4210S01
制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）
功能总体简述: HJ-FET 13DB S01
系列: -
晶体管类型: HFET
电压 - 集射极击穿（最大值）: -
频率: 12GHz
增益: 13dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
电压 - 测试: 2V
额定电流: 15mA
功率 - 最大值: -
噪声系数: 0.5dB
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
电流 - 测试: 10mA
功率 - 输出: -
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
安装类型: -
电压 - 额定: 4V
封装: *
瑞萨原厂器件封装:
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NE4210S01-T1B
R
HD64F3437STF16V
微控制器
R5F117A8GSP#50
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UPD78F0764GB-GAH-AX
微控制器
R5F2L36CCNFP#V2
微控制器
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