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NE5550779A-T1-A

RF FET

制造厂商：瑞萨(RENESAS)

功能简述：IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG

原厂封装：4-SMD

优势价格，NE5550779A-T1-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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NE5550779A-T1-A的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供

Renesas瑞萨完整型号: NE5550779A-T1-A

制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）

功能总体简述: IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG

系列: -

晶体管类型: LDMOS

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 900MHz

增益: 22dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 7.5V

额定电流: 2.1A

功率 - 最大值: -

噪声系数: -

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: 140mA

功率 - 输出: 38.5dBm

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 30V

封装/外壳: 4-SMD，扁平引线

供应商器件封装:

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