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    NE58219-T1-A的图片

    NE58219-T1-A

    Renesas图标
    RF 晶体管（BJT）
    制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）
    功能简述：TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
    原厂封装：SC-75
    优势价格，NE58219-T1-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    NE58219-T1-A的技术资料下载
    电话询问价格
    NE58219-T1-A的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号: NE58219-T1-A
  • 制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）
  • 功能总体简述: TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
  • 系列: -
  • 晶体管类型: NPN
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V
  • 频率 - 跃迁: 5GHz
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
  • 增益: -
  • 功率 - 最大值: 100mW
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 60 @ 5mA，5V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 60mA
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装: SC-75，SOT-416
  • 瑞萨原厂器件封装: 3 针 SuperMiniMold（19）
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