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RENESAS
NE6510179A-A的图片

NE6510179A-A

瑞萨(RENESAS)图标
RF FET
制造厂商:瑞萨(RENESAS)
功能简述:HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A
原厂封装:4-SMD
优势价格,NE6510179A-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NE6510179A-A的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • Renesas瑞萨完整型号: NE6510179A-A
  • 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
  • 功能总体简述: HJ-FET GAAS 1.9GHZ 3W 79A
  • 系列: -
  • 晶体管类型: HFET
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): -
  • 频率: 1.9GHz
  • 增益: 10dB
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
  • 电压 - 测试: 3.5V
  • 额定电流: 2.8A
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: -
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
  • 电流 - 测试: 200mA
  • 功率 - 输出: 32.5dBm
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: 8V
  • 封装/外壳: 4-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装:
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  • R
    NE6510179A-EVPW26
  • R
    NE6510179A-EVPW19
  • 微控制器
    R5F2122CKFP#U0
  • 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    RJH1BF7RDPQ-80#T2
  • 微控制器
    R5F101BAANA#U0
  • 振荡器
    XLH735081.885420I
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