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NE851M13-T3-A
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NE851M13-T3-A价格
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NE851M13-T3-A技术资料
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NE851M13-T3-A
RF 晶体管(BJT)
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
原厂封装:
SOT-3
优势价格,NE851M13-T3-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE851M13-T3-A的技术资料下载
NE851M13-T3-A的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号: NE851M13-T3-A
制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
功能总体简述: TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿(最大值): 5.5V
频率 - 跃迁: 4.5GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益: 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
功率 - 最大值: 140mW
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 100 @ 5mA,1V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-3
供应商器件封装: M13
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