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NE851M33-T3-A
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NE851M33-T3-A价格
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NE851M33-T3-A技术资料
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NE851M33-T3-A
RF 晶体管（BJT）
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
原厂封装：
3-SMD
优势价格，NE851M33-T3-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE851M33-T3-A的技术资料下载
NE851M33-T3-A的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号: NE851M33-T3-A
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
功能总体简述: TRANSISTOR NPN 2GHZ M33
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）: 5.5V
频率 - 跃迁: 4.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益: -
功率 - 最大值: 130mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 5mA，1V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-SMD，扁平引线
供应商器件封装: 3 针 SuperMiniMold（M33）
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