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NE856M02-AZ
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NE856M02-AZ技术资料
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NE856M02-AZ
RF 晶体管（BJT）
制造厂商：
瑞萨半导体（Renesas）
功能简述：
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
原厂封装：
TO-243AA
优势价格，NE856M02-AZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE856M02-AZ的技术资料下载
NE856M02-AZ的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
瑞萨半导体完整型号: NE856M02-AZ
制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）
功能总体简述: RF TRANSISTOR NPN SOT-89
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V
频率 - 跃迁: 6.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.1dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率 - 最大值: 1.2W
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 50 @ 20mA，10V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
安装类型: 表面贴装
封装: TO-243AA
瑞萨原厂器件封装: SOT-89
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