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NP16N06QLK-E1-AY
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NP16N06QLK-E1-AY技术资料
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NP16N06QLK-E1-AY
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS
原厂封装：
8-PowerLDFN
优势价格，NP16N06QLK-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NP16N06QLK-E1-AY的技术资料下载
NP16N06QLK-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
制造商产品型号：NP16N06QLK-E1-AY
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：39 毫欧 @ 8A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：750pF @ 25V
功率-最大值：1W（Ta），25W（Tc）
工作温度：175°C
安装类型：表面贴装型
封装：8-PowerLDFN
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