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NP50P06SDG-E1-AY
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NP50P06SDG-E1-AY价格
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NP50P06SDG-E1-AY技术资料
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NP50P06SDG-E1-AY
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
MOSFET P-CH -60V 50A TO-252
原厂封装：
TO-252
优势价格，NP50P06SDG-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NP50P06SDG-E1-AY的技术资料下载
NP50P06SDG-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号：NP50P06SDG-E1-AY
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：MOSFET P-CH -60V 50A TO-252
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：16.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5000pF @ 10V
功率 - 最大值：1.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252（MP-3ZK）
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