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NP80N04PDG-E1B-AY
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NP80N04PDG-E1B-AY价格
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NP80N04PDG-E1B-AY技术资料
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NP80N04PDG-E1B-AY
单端场效应管
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
MOSFET N-CH 40V 80A MP-25K
原厂封装:
TO-263-3
优势价格,NP80N04PDG-E1B-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NP80N04PDG-E1B-AY的技术资料下载
NP80N04PDG-E1B-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号:NP80N04PDG-E1B-AY
制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
描述:MOSFET N-CH 40V 80A MP-25K
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6900pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:TO-263-3
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