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NP80N055PDG-E1B-AY

Renesas图标
单端场效应管
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
原厂封装:TO-263
优势价格,NP80N055PDG-E1B-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NP80N055PDG-E1B-AY的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号:NP80N055PDG-E1B-AY
  • 制造厂家名称:Renesas (瑞萨电子)
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.6 毫欧 @ 40A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):135nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6900pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 瑞萨原厂器件封装:TO-263
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