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| NP80N055PDG-E1B-AY的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
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NP80N055PDG-E1B-AY

瑞萨(RENESAS)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：MOSFET N-CH 55V 80A TO263
原厂封装：封装:TO-263
优势价格，NP80N055PDG-E1B-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NP80N055PDG-E1B-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:NP80N055PDG-E1B-AY
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:TO-263
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.6 毫欧 @ 40A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:135 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6900 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），115W（Tc）
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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