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NP82N055NUG-S18-AY
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NP82N055NUG-S18-AY价格
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NP82N055NUG-S18-AY技术资料
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NP82N055NUG-S18-AY
单端场效应管
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
MOSFET N-CH 55V 82A TO-262
原厂封装：
TO-262
优势价格，NP82N055NUG-S18-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NP82N055NUG-S18-AY的技术资料下载
NP82N055NUG-S18-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号：NP82N055NUG-S18-AY
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：MOSFET N-CH 55V 82A TO-262
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：82A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 41A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9600pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
供应商器件封装：TO-262
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