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NP83P04PDG-E1-AY
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NP83P04PDG-E1-AY价格
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NP83P04PDG-E1-AY技术资料
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NP83P04PDG-E1-AY
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
MOSFET P-CH 40V 83A TO263
原厂封装:
TO-263
优势价格,NP83P04PDG-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NP83P04PDG-E1-AY的技术资料下载
NP83P04PDG-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
制造商产品型号:NP83P04PDG-E1-AY
制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
描述:MOSFET P-CH 40V 83A TO263
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:*
零件状态:停产
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40V
25°C时电流-连续漏极(Id):83A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 41.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):200nC @ 10V
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):9820pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
器件封装:TO-263
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