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NP83P04PDG-E1-AY
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
NP83P04PDG-E1-AY
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
原厂封装:
封装:TO-263
优势价格,NP83P04PDG-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NP83P04PDG-E1-AY的技术资料下载
NP83P04PDG-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:NP83P04PDG-E1-AY
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:TO-263
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 41.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):200 nC @ 10 V
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9820 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-263
封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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