NP90N04VDG-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
- Renesas瑞萨完整型号：NP90N04VDG-E1-AY
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH TO-252
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：90A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 45A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：135nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6900pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装：TO-252
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