NP90N04VLG-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号：NP90N04VLG-E1-AY制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）描述：MOSFET N-CH TO-252系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：90A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 45A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：135nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6900pF @ 25V功率 - 最大值：1.2W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252想获取NP90N04VLG-E1-AY的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
