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RJH60F3DPK-00#T0

单路IGBT

制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）

功能简述：IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

原厂封装：TO-3P

优势价格，RJH60F3DPK-00#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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RJH60F3DPK-00#T0的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供

瑞萨半导体完整型号：RJH60F3DPK-00#T0

制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）

描述：IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

系列：-

IGBT 类型：沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A

Current - Collector Pulsed (Icm)：-

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.82V @ 15V，20A

功率 - 最大值：178.5W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：-

Test Condition：-

反向恢复时间 (trr)：140ns

封装：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

瑞萨原厂器件封装：TO-3P

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