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RJH65D27BDPQ-A0#T2
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RJH65D27BDPQ-A0#T2技术资料
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RJH65D27BDPQ-A0#T2
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，RJH65D27BDPQ-A0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
RJH65D27BDPQ-A0#T2的技术资料下载
RJH65D27BDPQ-A0#T2的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
制造商产品型号：RJH65D27BDPQ-A0#T2
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
电流-集电极脉冲(Icm)：-
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，50A
功率-最大值：375W
开关能量：1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：175nC
25°C时Td（开/关）值：20ns/165ns
测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：80ns
工作温度：175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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