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RJM0603JSC-00#13
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RJM0603JSC-00#13技术资料
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RJM0603JSC-00#13
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
原厂封装：
20-SOIC（0.433，11.00mm 宽）
优势价格，RJM0603JSC-00#13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJM0603JSC-00#13的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
制造商产品型号：RJM0603JSC-00#13
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：停产
FET类型：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 10V
功率-最大值：54W
工作温度：175°C
安装类型：表面贴装型
封装：20-SOIC（0.433，11.00mm 宽）
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RJM0603JSC-00#12
晶
XUH515025.000000K
振荡器
UPD78F0753MC-CAA-AX
微控制器
XLP73V771.812700I
振荡器
XUH738022.579200X
振荡器
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