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RJP4301APP-M0#T2

Renesas图标
IGBT - 单路
制造厂商:瑞萨半导体(Renesas)
功能简述:IGBT 430V TO200FL
原厂封装:*
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RJP4301APP-M0#T2的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号: RJP4301APP-M0#T2
  • 制造厂家名称: Renesas Electronics America
  • 功能总体简述: IGBT 430V TO200FL
  • 系列: -
  • IGBT 类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 430V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm): 200A
  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 10V @ 26V,200A
  • 功率 - 最大值: 30W
  • 开关能量: -
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: -
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 50ns/100ns
  • 测试条件: 300V,200A,30 欧姆,26V
  • 反向恢复时间(trr): -
  • 封装: *
  • 安装类型: *
  • 瑞萨原厂器件封装: *
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