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RJP60F4DPM-00#T1
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RJP60F4DPM-00#T1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
瑞萨(RENESAS)
功能简述：
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
原厂封装：
TO-3PFM，SC-93-3
优势价格，RJP60F4DPM-00#T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RJP60F4DPM-00#T1的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
制造商产品型号：RJP60F4DPM-00#T1
制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
描述：IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
电流-集电极脉冲(Icm)：-
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.82V @ 15V，30A
功率-最大值：41.2W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：45ns/70ns
测试条件：400V，30A，5 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-3PFM，SC-93-3
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