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    RQJ0303PGDQA#H6的图片

    RQJ0303PGDQA#H6

    Renesas图标
    单端场效应管
    制造厂商：瑞萨半导体（Renesas）
    功能简述：MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
    原厂封装：3-MPAK
    优势价格，RQJ0303PGDQA#H6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    RQJ0303PGDQA#H6的技术资料下载
    电话询问价格
    RQJ0303PGDQA#H6的功能参数资料 - 瑞萨(Renesas)提供
  • 瑞萨半导体完整型号：RQJ0303PGDQA#H6
  • 制造厂家名称：Renesas （瑞萨电子）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.3A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：68 毫欧 @ 1.6A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：625pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：800mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 瑞萨原厂器件封装：3-MPAK
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