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70V3579S4DR
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
70V3579S4DR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
原厂封装:
封装:208-PQFP(28x28)
优势价格,70V3579S4DR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
70V3579S4DR的技术资料下载
70V3579S4DR的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:70V3579S4DR
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:208-PQFP(28x28)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:SRAM
技术:SRAM - 双端口,同步
存储容量:1.125Mb
存储器组织:32K x 36
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:4.2 ns
电压 - 供电:3.15V ~ 3.45V
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:208-BFQFP
供应商器件封装:208-PQFP(28x28)
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