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| H5N2005DSTL-E的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
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H5N2005DSTL-E

瑞萨(RENESAS)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：NCH POWER MOSFET 200V 6A 650MOHM
原厂封装：封装:DPAK-3
优势价格，H5N2005DSTL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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H5N2005DSTL-E的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:H5N2005DSTL-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:DPAK-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:NCH POWER MOSFET 200V 6A 650MOHM
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:300 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK-3
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
  • 想获取H5N2005DSTL-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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