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HAT2168N-EL-E
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
HAT2168N-EL-E
单端场效应管
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
原厂封装:
8-LFPAK-iV
优势价格,HAT2168N-EL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HAT2168N-EL-E的技术资料下载
HAT2168N-EL-E的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号:HAT2168N-EL-E
制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
描述:MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1730pF @ 10V
功率 - 最大值:15W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供应商器件封装:8-LFPAK-iV
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