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HAT2196C-EL-E
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
HAT2196C-EL-E
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE
原厂封装:
封装:6-CMFPAK
优势价格,HAT2196C-EL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HAT2196C-EL-E的技术资料下载
HAT2196C-EL-E的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:HAT2196C-EL-E
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:6-CMFPAK
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE
系列:-
包装:散装
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):58 毫欧 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):270 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):850mW(Ta)
工作温度:150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:6-CMFPAK
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
想获取HAT2196C-EL-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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