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HIP6601BECBZ
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
HIP6601BECBZ
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
原厂封装:
封装:8-SOIC-EP
优势价格,HIP6601BECBZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HIP6601BECBZ的技术资料下载
HIP6601BECBZ的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
型号:HIP6601BECBZ
品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
封装:8-SOIC-EP
类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
驱动配置:半桥
通道类型:同步
驱动器数:2
栅极类型:MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电:10.8V ~ 13.2V
逻辑电压- VIL,VIH:-
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):-
输入类型:非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):15 V
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns
工作温度:0°C ~ 125°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)焊盘
供应商器件封装:8-SOIC-EP
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