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HZ6B2TD-E的图片

HZ6B2TD-E

瑞萨(RENESAS)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：DIODE ZENER 0.5W SILICON UNIDIR
原厂封装：封装:DO-35
优势价格，HZ6B2TD-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
HZ6B2TD-E的技术资料下载
电话询问价格
HZ6B2TD-E的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:HZ6B2TD-E
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 0.5W SILICON UNIDIR
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):-
  • 容差:-
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt):40 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 想获取HZ6B2TD-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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