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NE3513M04-T2-A
的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
NE3513M04-T2-A
RF FET
制造厂商:
瑞萨(RENESAS)
功能简述:
IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
原厂封装:
SOT-343F
优势价格,NE3513M04-T2-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
NE3513M04-T2-A的技术资料下载
NE3513M04-T2-A的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
Renesas瑞萨完整型号: NE3513M04-T2-A
制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
功能总体简述: IC HJ-FET RF N-CH LNA M04 4SMD
系列: -
晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET
电压 - 集射极击穿(最大值): -
频率: 12GHz
增益: 13dB
频率 - 跃迁: -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
电压 - 测试: 2V
额定电流: 60mA
功率 - 最大值: -
噪声系数: 0.65dB
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
电流 - 测试: 10mA
功率 - 输出: 125mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
安装类型: -
电压 - 额定: 4V
封装/外壳: SOT-343F
供应商器件封装:
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