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| NP30N06QDK-E1-AY的报价和技术资料 - RENESAS瑞萨电子授权中国代理商 |
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NP30N06QDK-E1-AY

瑞萨(RENESAS)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：瑞萨(RENESAS)
功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
原厂封装：封装:8-HSON（5x5.4）
优势价格，NP30N06QDK-E1-AY的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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NP30N06QDK-E1-AY的功能参数资料 - 瑞萨公司(RENESAS)提供
  • 型号:NP30N06QDK-E1-AY
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:8-HSON（5x5.4）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2250pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1W（Ta），59W（Tc）
  • 工作温度:175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerLDFN
  • 供应商器件封装:8-HSON（5x5.4）
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